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STD85N10F7AG
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, 70A, TO-252
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD85N10F7AG
Código Newark07AH6967
Gama de produtosSTripFET F7
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.960 |
| 10+ | $ 2.010 |
| 25+ | $ 1.830 |
| 50+ | $ 1.650 |
| 100+ | $ 1.470 |
| 250+ | $ 1.350 |
| 500+ | $ 1.230 |
| 1000+ | $ 1.160 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.96
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD85N10F7AG
Código Newark07AH6967
Gama de produtosSTripFET F7
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id70A
On Resistance Rds(on)0.0085ohm
Drain Source On State Resistance8500µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation Pd85W
Power Dissipation85W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F7
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0085ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
85W
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET F7
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
70A
Drain Source On State Resistance
8500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Power Dissipation
85W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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