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STD6N95K5
Power MOSFET, N Channel, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.680 |
| 10+ | $ 2.550 |
| 100+ | $ 1.950 |
| 500+ | $ 1.740 |
| 1000+ | $ 1.640 |
| 2500+ | $ 1.580 |
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Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD6N95K5
Código Newark06X0850
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds950V
Continuous Drain Current Id9A
On Resistance Rds(on)1ohm
Drain Source On State Resistance1ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd90W
Power Dissipation90W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- 950V, 9A N-channel MDmesh™ K5 Power MOSFET in 3 pin DPAK package
- 950V worldwide best RDS(on)
- Worldwide best FOM (figure of merit)
- Ultra low gate charge
- 100% avalanche tested
- Zener protected
- Suitable for switching applications
- Low on-resistance, ultra-low gate charge for applications of superior power density/high efficiency
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
950V
On Resistance Rds(on)
1ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
90W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9A
Drain Source On State Resistance
1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
90W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
