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STD65N55F3
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 32 A, 6.5 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD65N55F3
Código Newark
Rodo à Medida33R1174
Segmento de fita33R1174
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.570 | $ 3.57 |
| Total Preço | $ 3.57 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.570 |
| 10+ | $ 2.460 |
| 25+ | $ 2.250 |
| 50+ | $ 2.040 |
| 100+ | $ 1.830 |
| 250+ | $ 1.690 |
| 500+ | $ 1.560 |
| 1000+ | $ 1.510 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD65N55F3
Código Newark
Rodo à Medida33R1174
Segmento de fita33R1174
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id32A
Drain Source On State Resistance6.5ohm
On Resistance Rds(on)6.5ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd110W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The STD65N55F3 is a STripFET™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET designed with latest refinement of unique Single Feature Size™ strip-based process. The process decreased the critical alignment steps, offering remarkable manufacturing reproducibility. The outcome is a transistor with extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and low gate charge.
- Standard threshold drive
- 100% Avalanche tested
- -55 to 175°C Operating junction temperature range
Aplicações
Automotive, Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
32A
On Resistance Rds(on)
6.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
110W
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
6.5ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para STD65N55F3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos