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STD35NF06LT4
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 17.5 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD35NF06LT4
Código Newark
Rodo à Medida33R1160
Segmento de fita33R1160
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.250 | $ 2.25 |
| Total Preço | $ 2.25 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.250 |
| 10+ | $ 1.520 |
| 25+ | $ 1.380 |
| 50+ | $ 1.230 |
| 100+ | $ 1.090 |
| 250+ | $ 1.000 |
| 500+ | $ 0.915 |
| 1000+ | $ 0.863 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD35NF06LT4
Código Newark
Rodo à Medida33R1160
Segmento de fita33R1160
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id17.5A
Drain Source On State Resistance0.017ohm
On Resistance Rds(on)0.014ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd80W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation80W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para STD35NF06LT4
1 produto encontrado
Descrição geral do produto
The STD35NF06LT4 is a 60V N-channel Power MOSFET developed using unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the MOSFET suitable for use as primary switch in advanced high efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications and applications with low gate charge driving requirements.
- Low threshold drive
- Gate charge minimized
- High peak power
- High ruggedness capability
Aplicações
Industrial, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17.5A
On Resistance Rds(on)
0.014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
80W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.017ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
80W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto