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STD1NK80ZT4
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 1 A, 16 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD1NK80ZT4
Código Newark
Rodo à Medida33R1143
Segmento de fita33R1143
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.400 | $ 1.40 |
| Total Preço | $ 1.40 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.400 |
| 10+ | $ 1.130 |
| 25+ | $ 0.985 |
| 50+ | $ 0.863 |
| 100+ | $ 0.731 |
| 250+ | $ 0.635 |
| 500+ | $ 0.504 |
| 1000+ | $ 0.476 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD1NK80ZT4
Código Newark
Rodo à Medida33R1143
Segmento de fita33R1143
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance16ohm
On Resistance Rds(on)13ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation Pd45W
Power Dissipation45W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para STD1NK80ZT4
1 produto encontrado
Descrição geral do produto
- 800V, 1A N-channel zener protected SuperMESH™ MOSFET in 3 pin DPAK package
- Extremely high dv/dt capability
- Improved ESD capability
- 100% avalanche tested
- New high voltage benchmark
- Gate charge minimized
- Extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout
- Suitable for AC adapters, battery chargers and SMPS
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
16ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
45W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1A
On Resistance Rds(on)
13ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
Power Dissipation
45W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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