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STD10N60M2
MOSFET, N-CH, 600V, 7.5A, TO-252
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD10N60M2
Código Newark51AC9541
Gama de produtosMDmesh M2
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.710 |
| 10+ | $ 1.080 |
| 100+ | $ 0.720 |
| 500+ | $ 0.574 |
| 1000+ | $ 0.524 |
| 2500+ | $ 0.474 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.71
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD10N60M2
Código Newark51AC9541
Gama de produtosMDmesh M2
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id7.5A
Drain Source On State Resistance0.55ohm
On Resistance Rds(on)0.55ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd85W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation85W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M2
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.55ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
85W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh M2
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.5A
On Resistance Rds(on)
0.55ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
85W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto