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STB60NF06LT4
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB60NF06LT4
Código Newark
Rodo à Medida34M8658
Segmento de fita34M8658
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.030 | $ 3.03 |
| Total Preço | $ 3.03 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.030 |
| 10+ | $ 2.060 |
| 25+ | $ 1.870 |
| 50+ | $ 1.690 |
| 100+ | $ 1.500 |
| 250+ | $ 1.380 |
| 500+ | $ 1.260 |
| 1000+ | $ 1.230 |
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB60NF06LT4
Código Newark
Rodo à Medida34M8658
Segmento de fita34M8658
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.014ohm
On Resistance Rds(on)0.016ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd110W
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
The STB60NF06LT4 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
- Low threshold drive
- -55 to 175°C Operating junction temperature range
Aplicações
Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
110W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
On Resistance Rds(on)
0.016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documentação técnica (4)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos