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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteST2H8N120K5AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante4 semanas
Código Newark12AN6696
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.440 |
| 10+ | $ 5.780 |
| 25+ | $ 5.480 |
| 50+ | $ 4.920 |
| 100+ | $ 4.510 |
| 250+ | $ 4.050 |
| 500+ | $ 3.840 |
| 1000+ | $ 3.610 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 6.44
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteST2H8N120K5AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante4 semanas
Código Newark12AN6696
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance2ohm
Transistor Case StyleH2PAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation165W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
165W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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