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SCTW35N65G2VAG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, TO-247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCTW35N65G2VAG
Código Newark69AH2145
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCTW35N65G2VAG
Código Newark69AH2145
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.045ohm
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation Pd240W
Power Dissipation240W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
Power Dissipation
240W
Product Range
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
45A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation Pd
240W
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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