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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT040W120G3AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante68 semanas
Código Newark04AM0273
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 13.440 |
| 10+ | $ 12.330 |
| 25+ | $ 11.940 |
| 50+ | $ 11.320 |
| 100+ | $ 10.920 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 13.44
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT040W120G3AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante68 semanas
Código Newark04AM0273
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.054ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation312W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
0.054ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
312W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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