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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT040H120G3AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante8 semanas
Código Newark
Rodo à Medida04AM0272RL
Segmento de fita04AM0272
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 8 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 16.990 | $ 16.99 |
| Total Preço | $ 16.99 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 16.990 |
| 50+ | $ 11.220 |
| 100+ | $ 11.200 |
| 250+ | $ 10.980 |
| 500+ | $ 10.750 |
| 1000+ | $ 10.530 |
| 2500+ | $ 10.300 |
| 5000+ | $ 10.080 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT040H120G3AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante8 semanas
Código Newark
Rodo à Medida04AM0272RL
Segmento de fita04AM0272
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.054ohm
Transistor Case StyleH2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation300W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
0.054ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
300W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto
