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SCT027W65G3-4AG
SIL CARB MOSFET, SINGLE, N CHANNEL, 60A
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT027W65G3-4AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante5 semanas
Código Newark04AM0271
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 21.720 |
| 10+ | $ 20.970 |
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT027W65G3-4AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante5 semanas
Código Newark04AM0271
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.0393ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation313W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.0393ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
313W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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