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SCT027TO65G3
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 60A, TOLL
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT027TO65G3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante58 semanas
Código Newark
Rodo à Medida49AM4722RL
Segmento de fita49AM4722
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 58 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 14.530 | $ 14.53 |
| Total Preço | $ 14.53 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 14.530 |
| 50+ | $ 13.410 |
| 100+ | $ 12.440 |
| 250+ | $ 11.480 |
| 500+ | $ 10.530 |
| 1000+ | $ 9.870 |
| 2500+ | $ 9.310 |
| 5000+ | $ 8.870 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT027TO65G3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante58 semanas
Código Newark
Rodo à Medida49AM4722RL
Segmento de fita49AM4722
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.0393ohm
Transistor Case StyleTOLL
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation395W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.0393ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TOLL
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
395W
Product Range
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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