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SCT027H65G3AG
SIL CARB MOSFET, SINGLE, N CHANNEL, 60A
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT027H65G3AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante6 semanas
Código Newark
Rolo completo14AM7983
Rodo à Medida14AM7982RL
Segmento de fita14AM7982
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Rolo completo | 1 | $ 8.840 | $ 0.00 |
| Total Preço | $ 8.84 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 13.080 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 8.840 |
| 2000+ | $ 8.570 |
| 4000+ | $ 8.300 |
| 6000+ | $ 7.910 |
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT027H65G3AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante6 semanas
Código Newark
Rolo completo14AM7983
Rodo à Medida14AM7982RL
Segmento de fita14AM7982
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.0393ohm
Transistor Case StyleH2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation300W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.0393ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
300W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto