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SCT019HU120G3AG
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 90A, HU3PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT019HU120G3AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante7 semanas
Código Newark
Rodo à Medida44AM8270RL
Segmento de fita44AM8270
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 20.480 | $ 20.48 |
| Total Preço | $ 20.48 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 20.480 |
| 50+ | $ 19.190 |
| 100+ | $ 17.650 |
| 250+ | $ 16.410 |
| 500+ | $ 15.040 |
| 1000+ | $ 14.110 |
| 2500+ | $ 13.400 |
| 5000+ | $ 12.600 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT019HU120G3AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante7 semanas
Código Newark
Rodo à Medida44AM8270RL
Segmento de fita44AM8270
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StyleHU3PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation500W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
90A
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HU3PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
500W
Product Range
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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