Imprimir página
SCT018W65G3-4AG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 55 A, 650 V, 27 mohm, HiP247
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT018W65G3-4AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark12AM9882
Seu número de peça
43 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 22.300 |
| 10+ | $ 18.640 |
| 25+ | $ 18.220 |
| 50+ | $ 17.550 |
| 100+ | $ 17.110 |
| 250+ | $ 16.620 |
| 500+ | $ 16.430 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 22.30
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT018W65G3-4AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark12AM9882
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance27mohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation398W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
55A
Drain Source On State Resistance
27mohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
398W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto