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SCT018H65G3-7
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 55A, H2PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT018H65G3-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante6 semanas
Código Newark47AM2255
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 19.140 |
| 10+ | $ 17.600 |
| 25+ | $ 16.260 |
| 50+ | $ 14.960 |
| 100+ | $ 13.640 |
| 250+ | $ 12.720 |
| 500+ | $ 11.960 |
| 1000+ | $ 11.350 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 19.14
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT018H65G3-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante6 semanas
Código Newark47AM2255
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.027ohm
Transistor Case StyleH2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation385W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
55A
Drain Source On State Resistance
0.027ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
385W
Product Range
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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