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SCT015W120G3-4AG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 129 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, HiP247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT015W120G3-4AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark12AM9881
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 44.310 |
| 5+ | $ 43.150 |
| 10+ | $ 42.040 |
| 25+ | $ 41.040 |
| 50+ | $ 40.130 |
| 100+ | $ 39.610 |
| 250+ | $ 39.130 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT015W120G3-4AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark12AM9881
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id129A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation673W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
129A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
673W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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