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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT014HU65G3AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante7 semanas
Código Newark
Rodo à Medida49AM4721RL
Segmento de fita49AM4721
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 7 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 20.050 | $ 20.05 |
| Total Preço | $ 20.05 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 20.050 |
| 10+ | $ 18.450 |
| 25+ | $ 17.040 |
| 50+ | $ 15.670 |
| 100+ | $ 14.290 |
| 250+ | $ 13.330 |
| 500+ | $ 12.520 |
| 1200+ | $ 11.900 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT014HU65G3AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante7 semanas
Código Newark
Rodo à Medida49AM4721RL
Segmento de fita49AM4721
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.021ohm
Transistor Case StyleHU3PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation483W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
110A
Drain Source On State Resistance
0.021ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HU3PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
483W
Product Range
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
