Imprimir página
SCT012W90G3AG
SIC MOSFET, N-CH, 900V, 110A, HIP247
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT012W90G3AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante6 semanas
Código Newark47AM2253
Seu número de peça
100 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 21.150 |
| 5+ | $ 20.050 |
| 10+ | $ 18.960 |
| 25+ | $ 17.840 |
| 60+ | $ 16.640 |
| 120+ | $ 16.280 |
| 270+ | $ 15.760 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 21.15
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT012W90G3AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante6 semanas
Código Newark47AM2253
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.0158ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation625W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
110A
Drain Source On State Resistance
0.0158ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
625W
Product Range
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto