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SCT012H90G3AG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 110 A, 900 V, 0.0158 ohm, H2PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT012H90G3AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante8 semanas
Código Newark
Rodo à Medida04AM0269RL
Segmento de fita04AM0269
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 22.670 | $ 22.67 |
| Total Preço | $ 22.67 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 22.670 |
| 10+ | $ 16.370 |
| 25+ | $ 15.760 |
| 50+ | $ 15.260 |
| 100+ | $ 14.760 |
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT012H90G3AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante8 semanas
Código Newark
Rodo à Medida04AM0269RL
Segmento de fita04AM0269
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.0158ohm
Transistor Case StyleH2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation625W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
110A
Drain Source On State Resistance
0.0158ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
625W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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