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A2U8M12W3-FC
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 180A, ACEPACK 2
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteA2U8M12W3-FCCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark12AM6153
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 16 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 182.290 |
| 5+ | $ 173.030 |
| 10+ | $ 163.760 |
| 36+ | $ 154.500 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 182.29
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteA2U8M12W3-FCCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark12AM6153
MOSFET Module ConfigurationThreePack
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0125ohm
Transistor Case StyleACEPACK 2
No. of Pins36Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
ThreePack
Continuous Drain Current Id
180A
Drain Source On State Resistance
0.0125ohm
No. of Pins
36Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
ACEPACK 2
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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