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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteA2TBH45M65W3-FCCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark25AM3315
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 16 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 91.030 |
| 5+ | $ 83.760 |
| 10+ | $ 76.490 |
| 25+ | $ 69.220 |
| 50+ | $ 69.210 |
| 100+ | $ 69.200 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 91.03
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteA2TBH45M65W3-FCCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark25AM3315
MOSFET Module ConfigurationTriple Boost, Half Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.072ohm
Transistor Case StyleACEPACK 2
No. of Pins30Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Triple Boost, Half Bridge
Continuous Drain Current Id
28A
Drain Source On State Resistance
0.072ohm
No. of Pins
30Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
ACEPACK 2
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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