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GD75HFX65C1S
IGBT Module, Half Bridge, 100 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Module
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 48.260 |
| 5+ | $ 46.340 |
| 10+ | $ 44.390 |
| 48+ | $ 42.400 |
| 72+ | $ 40.270 |
| 120+ | $ 39.640 |
| 264+ | $ 38.700 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 48.26
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Informação do produto
FabricanteSTARPOWER
Nº da peça do fabricanteGD75HFX65C1S
Código Newark25AK0634
Ficha técnica
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current100A
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
Power Dissipation258W
Power Dissipation Pd258W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
Collector Emitter Voltage Max650V
IGBT TechnologyTrench
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.45V
Power Dissipation Pd
258W
Junction Temperature, Tj Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
DC Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Power Dissipation
258W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
IGBT Technology
Trench
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto