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GD200HFY120C8S
IGBT, HALF BRIDGE, 1.2KV, 309A, MODULE
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 80.660 |
| 5+ | $ 79.050 |
| 10+ | $ 77.370 |
| 32+ | $ 76.530 |
| 64+ | $ 75.720 |
| 112+ | $ 72.410 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteSTARPOWER
Nº da peça do fabricanteGD200HFY120C8S
Código Newark84AH5723
Ficha técnica
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current309A
Continuous Collector Current309A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
Power Dissipation1.006kW
Power Dissipation Pd1.006kW
Junction Temperature, Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
309A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7V
Power Dissipation Pd
1.006kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
DC Collector Current
309A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Power Dissipation
1.006kW
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto