Imprimir página
GD200HFY120C2S
IGBT Module, Half Bridge, 309 A, 2 V, 1.006 kW, 150 °C, Module
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTARPOWER
Nº da peça do fabricanteGD200HFY120C2SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante29 semanas
Código Newark93AC7041
Seu número de peça
27 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 140.760 |
| 5+ | $ 137.890 |
| 10+ | $ 134.930 |
| 36+ | $ 131.290 |
| 60+ | $ 130.330 |
| 108+ | $ 127.510 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 140.76
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteSTARPOWER
Nº da peça do fabricanteGD200HFY120C2SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante29 semanas
Código Newark93AC7041
Ficha técnica
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
DC Collector Current309A
Continuous Collector Current309A
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
Power Dissipation1.006kW
Power Dissipation Pd1.006kW
Junction Temperature, Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins11Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Descrição geral do produto
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
309A
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Power Dissipation
1.006kW
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
309A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2V
Power Dissipation Pd
1.006kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
11Pins
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Alternativas para GD200HFY120C2S
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto