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GD150HFX170C2S
TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.7KV, 280A ROHS COMPLIANT: YES
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 28 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 117.590 |
| 5+ | $ 115.250 |
| 10+ | $ 112.800 |
| 36+ | $ 111.570 |
| 60+ | $ 110.380 |
| 108+ | $ 105.570 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 117.59
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSTARPOWER
Nº da peça do fabricanteGD150HFX170C2S
Código Newark84AH5712
Ficha técnica
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current280A
Continuous Collector Current280A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation Pd1.127kW
Power Dissipation1.127kW
Junction Temperature, Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
280A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation
1.127kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
DC Collector Current
280A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation Pd
1.127kW
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto