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SKM300GB12T4
IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 422 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module RoHS Compliant: Yes
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Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSKM300GB12T4
Código Newark55X3196
Ficha técnica
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current422A
Continuous Collector Current422A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature, Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
422A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation
-
Junction Temperature, Tj Max
175°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
DC Collector Current
422A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 4 Fast [Trench]
Product Range
-
Documentação técnica (3)
Alternativas para SKM300GB12T4
2 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jun-2015)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos