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SKM200GAL12T4
IGBT Module, Single, 313 A, 1.8 V, 125 °C, Module
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSKM200GAL12T4
Código Newark77R2556
Gama de produtosSEMITRANS Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 25 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 10+ | $ 200.550 |
| 25+ | $ 198.440 |
| 50+ | $ 196.330 |
| 100+ | $ 187.890 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 12
Vários: 12
$ 2,406.60
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSKM200GAL12T4
Código Newark77R2556
Gama de produtosSEMITRANS Series
Ficha técnica
IGBT ConfigurationSingle
Transistor PolarityNPN
Continuous Collector Current313A
DC Collector Current313A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Junction Temperature, Tj Max125°C
Operating Temperature Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product RangeSEMITRANS Series
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Single
Continuous Collector Current
313A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation
-
Junction Temperature, Tj Max
125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
-
Product Range
SEMITRANS Series
Transistor Polarity
NPN
DC Collector Current
313A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
125°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jun-2015)
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