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SKM 200GB173D
IGBT Module, Half Bridge, 200 A, 3.9 V, 150 °C, SEMITRANS 3
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSKM 200GB173D
Código Newark88K1200
Gama de produtosSEMITRANS 2 SKM Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 25 Semana(s)
Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSKM 200GB173D
Código Newark88K1200
Gama de produtosSEMITRANS 2 SKM Series
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current200A
DC Collector Current200A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7kV
Collector Emitter Saturation Voltage3.9V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature, Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Transistor Case StyleSEMITRANS 3
No. of Pins7Pins
IGBT TerminationStud
IGBT TechnologyNPT IGBT [Standard]
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
Transistor MountingPanel
Product RangeSEMITRANS 2 SKM Series
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Descrição geral do produto
The SKM 200GB173D is a SEMITRANS® 3 IGBT Module for use with electronic welders and AC inverter drives. It features VCE(sat) with positive temperature coefficient and insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper). It is also ideal for AC inverter drives on mains 575 to 750VAC, DC bus voltage 750 to 1200VDC, public transport (auxiliary system) and switching (not for linear use).
- Half-bridge switch
- High short-circuit capability, self limiting to 6 x IC
- Fast and soft inverse CAL diodes
- Large clearance (10mm) and creepage distances (20mm)
- MOS input (voltage controlled)
- N-channel, homogeneous Si
- Low inductance case
- Very low tail current with low temperature dependence
- Latch-up free
- UL recognized, file number E63532
Aplicações
Maintenance & Repair, Power Management, Automotive
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
200A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7kV
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
NPT IGBT [Standard]
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
200A
Collector Emitter Saturation Voltage
3.9V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
SEMITRANS 3
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Product Range
SEMITRANS 2 SKM Series
Documentação técnica (1)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jun-2015)
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Certificado de conformidade do produto