Imprimir página
SKIM429GD17E4HD
IGBT Module, 595 A, 1.7 kV, 175 °C
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 25 Semana(s)
Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSKIM429GD17E4HD
Código Newark77R2504
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
IGBT Configuration-
DC Collector Current595A
Continuous Collector Current595A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7kV
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7kV
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature, Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.1V
Transistor Case Style-
No. of Pins32Pins
IGBT TerminationPress Fit
IGBT Technology-
Collector Emitter Voltage Max1.1V
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
DC Collector Current
595A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7kV
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature, Tj Max
175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.1V
No. of Pins
32Pins
IGBT Technology
-
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT Configuration
-
Continuous Collector Current
595A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7kV
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
-
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
1.1V
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jun-2015)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto