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SK15GH063
IGBT Module, H Bridge, 2.7 V, 1.9 kW, SEMITOP 2
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 25 Semana(s)
Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSK15GH063
Código Newark83F5616
Ficha técnica
IGBT ConfigurationH Bridge
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current-
Continuous Collector Current-
Collector Emitter Saturation Voltage2.7V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.7V
Power Dissipation Pd1.9kW
Power Dissipation1.9kW
Junction Temperature, Tj Max-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo600V
Operating Temperature Max-
Transistor Case StyleSEMITOP 2
No. of Pins16Pins
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max600V
IGBT TechnologyNPT IGBT [Standard]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
H Bridge
DC Collector Current
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.7V
Power Dissipation Pd
1.9kW
Junction Temperature, Tj Max
-
Operating Temperature Max
-
No. of Pins
16Pins
Collector Emitter Voltage Max
600V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
-
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.7V
Power Dissipation
1.9kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
600V
Transistor Case Style
SEMITOP 2
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
NPT IGBT [Standard]
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jun-2015)
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Certificado de conformidade do produto