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SEMIX402GAL066HDS
IGBT Module, Single, 502 A, 1.45 V, 125 °C, Module
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSEMIX402GAL066HDS
Código Newark77R2123
Gama de produtosSEMiX Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 25 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 157.200 |
| 10+ | $ 153.960 |
| 25+ | $ 152.340 |
| 50+ | $ 150.720 |
| 100+ | $ 144.240 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 6
Vários: 6
$ 943.20
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSEMIX402GAL066HDS
Código Newark77R2123
Gama de produtosSEMiX Series
Ficha técnica
Transistor PolarityNPN
IGBT ConfigurationSingle
DC Collector Current502A
Continuous Collector Current502A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo600V
Junction Temperature, Tj Max125°C
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
IGBT Technology-
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor MountingPanel
Product RangeSEMiX Series
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
NPN
DC Collector Current
502A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.45V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
600V
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
600V
Product Range
SEMiX Series
IGBT Configuration
Single
Continuous Collector Current
502A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature, Tj Max
125°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Technology
-
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jun-2015)
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