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SEMIX223GD12E4C
IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 333 A, 1.85 V, 125 °C, Module
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FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSEMIX223GD12E4C
Código Newark77R2108
Gama de produtosSEMiX Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 25 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1,598.880 |
| 5+ | $ 1,582.320 |
| 10+ | $ 1,565.750 |
| 25+ | $ 1,499.470 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 2
Vários: 2
$ 3,197.76
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSEMIX223GD12E4C
Código Newark77R2108
Gama de produtosSEMiX Series
Ficha técnica
IGBT ConfigurationSix Pack [Full Bridge]
Transistor PolaritySix NPN
DC Collector Current333A
Continuous Collector Current333A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature, Tj Max125°C
Operating Temperature Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
IGBT Technology-
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor MountingPanel
Product RangeSEMiX Series
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Six Pack [Full Bridge]
DC Collector Current
333A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature, Tj Max
125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Product Range
SEMiX Series
Transistor Polarity
Six NPN
Continuous Collector Current
333A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
125°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Technology
-
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jun-2015)
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