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SEMIX 253GB176HDC
IGBT Module, Dual, 250 A, 2.45 V, 150 °C, Module
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 27 Semana(s)
Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSEMIX 253GB176HDC
Código Newark09J5166
Ficha técnica
IGBT ConfigurationDual
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current250A
Continuous Collector Current250A
Collector Emitter Saturation Voltage2.45V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7kV
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins16Pins
IGBT TechnologyTrench
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Dual
DC Collector Current
250A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.45V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
Trench
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
250A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7kV
Power Dissipation
-
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
16Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jun-2015)
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Certificado de conformidade do produto