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SCT3160KWAHRTL
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263
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FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteSCT3160KWAHRTLCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark02AM9708
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 10.190 |
| 10+ | $ 6.980 |
| 25+ | $ 6.400 |
| 50+ | $ 5.810 |
| 100+ | $ 5.230 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 10.19
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteSCT3160KWAHRTLCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark02AM9708
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.208ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation100W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
17A
Drain Source On State Resistance
0.208ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
100W
Product Range
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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