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RS7L200CHTB1
MOSFET, N-CH, 60V, 270A, DFN5060-8S-8
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FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRS7L200CHTB1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark11AN8765
Seu número de peça
Disponível para encomenda
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.530 |
| 10+ | $ 4.000 |
| 25+ | $ 3.670 |
| 50+ | $ 3.320 |
| 100+ | $ 2.880 |
| 250+ | $ 2.290 |
| 500+ | $ 2.170 |
| 1000+ | $ 2.040 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 4.53
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRS7L200CHTB1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark11AN8765
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id270A
Drain Source On State Resistance0.00144ohm
Transistor Case StyleDFN5060-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation216W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
270A
Transistor Case Style
DFN5060-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
216W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.00144ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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