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RS1E200BNTB1
MOSFET, N-CH, 30V, 68A, HSOP-8
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FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRS1E200BNTB1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark11AN8763
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.690 |
| 10+ | $ 1.450 |
| 25+ | $ 1.310 |
| 50+ | $ 1.180 |
| 100+ | $ 0.993 |
| 250+ | $ 0.879 |
| 500+ | $ 0.763 |
| 1000+ | $ 0.732 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.69
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRS1E200BNTB1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark11AN8763
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id68A
Drain Source On State Resistance0.0039ohm
Transistor Case StyleHSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation25W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
68A
Transistor Case Style
HSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0039ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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