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RJ1L04BBGTL1
MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 100A, TO-263AB
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FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRJ1L04BBGTL1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida22AM1041RL
Segmento de fita22AM1041
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.450 | $ 4.45 |
| Total Preço | $ 4.45 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.450 |
| 10+ | $ 2.910 |
| 25+ | $ 2.640 |
| 50+ | $ 2.360 |
| 100+ | $ 2.080 |
| 250+ | $ 1.930 |
| 500+ | $ 1.770 |
| 1600+ | $ 1.640 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRJ1L04BBGTL1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida22AM1041RL
Segmento de fita22AM1041
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance4600µohm
Transistor Case StyleTO-263AB (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation89W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
TO-263AB (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
89W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
4600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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