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RD3L03BBJHRBTL
MOSFET, P-CHANNEL, 60V, 29A, TO-252
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FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRD3L03BBJHRBTLCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rodo à Medida22AM1029RL
Segmento de fita22AM1029
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.990 | $ 1.99 |
| Total Preço | $ 1.99 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.990 |
| 50+ | $ 0.974 |
| 100+ | $ 0.875 |
| 250+ | $ 0.788 |
| 500+ | $ 0.701 |
| 1000+ | $ 0.687 |
| 2500+ | $ 0.673 |
| 5000+ | $ 0.659 |
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRD3L03BBJHRBTLCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rodo à Medida22AM1029RL
Segmento de fita22AM1029
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.055ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation53W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
29A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
53W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Nov-2024)
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