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FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRD3G08BBJHRBTLCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark03AM8219
Seu número de peça
232 Em Estoque
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.790 |
| 10+ | $ 2.470 |
| 25+ | $ 2.220 |
| 50+ | $ 1.980 |
| 100+ | $ 1.720 |
| 250+ | $ 1.570 |
| 500+ | $ 1.400 |
| 1000+ | $ 1.390 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 3.79
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRD3G08BBJHRBTLCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark03AM8219
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance4900µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation142W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
142W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
4900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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