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RD3G03BATTL1
MOSFET, P-CH, 40V, 35A, TO-252
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRD3G03BATTL1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6094
Rodo à Medida22AJ0389RL
Segmento de fita22AJ0389
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Rolo completo | 5 | $ 0.618 | $ 0.00 |
| Total Preço | $ 3.09 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 2.210 |
| 10+ | $ 1.280 |
| 25+ | $ 1.150 |
| 50+ | $ 1.030 |
| 100+ | $ 0.909 |
| 250+ | $ 0.842 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.618 |
| 5000+ | $ 0.596 |
| 10000+ | $ 0.575 |
| 15000+ | $ 0.557 |
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRD3G03BATTL1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6094
Rodo à Medida22AJ0389RL
Segmento de fita22AJ0389
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.015ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation56W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
56W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.015ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (23-Jan-2024)
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