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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.730 |
| 10+ | $ 1.200 |
| 25+ | $ 1.090 |
| 50+ | $ 0.978 |
| 100+ | $ 0.868 |
| 250+ | $ 0.792 |
| 500+ | $ 0.716 |
| 1000+ | $ 0.667 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.73
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRD3G01BATTL1
Código Newark22AJ0388
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id15A
Drain Source On State Resistance0.039ohm
On Resistance Rds(on)0.031ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation25W
Power Dissipation Pd25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
25W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
15A
On Resistance Rds(on)
0.031ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (23-Jan-2024)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
