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R6010YND3TL1
MOSFET, N-CHANNEL, 600V, 10A, TO-252
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FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteR6010YND3TL1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark02AM9698
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78 Em Estoque
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.810 |
| 10+ | $ 1.820 |
| 25+ | $ 1.640 |
| 50+ | $ 1.440 |
| 100+ | $ 1.260 |
| 250+ | $ 1.130 |
| 500+ | $ 1.020 |
| 1000+ | $ 0.974 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.81
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteR6010YND3TL1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark02AM9698
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.39ohm
Transistor Case StyleTO-252
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation92W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
TO-252
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
92W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.39ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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