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HP8KC5TB1
MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 12A, HSOP
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteHP8KC5TB1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rodo à Medida22AM1005RL
Segmento de fita22AM1005
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.870 | $ 1.87 |
| Total Preço | $ 1.87 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.870 |
| 50+ | $ 1.200 |
| 100+ | $ 0.804 |
| 250+ | $ 0.721 |
| 500+ | $ 0.637 |
| 1000+ | $ 0.591 |
| 2500+ | $ 0.559 |
| 5000+ | $ 0.552 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteHP8KC5TB1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rodo à Medida22AM1005RL
Segmento de fita22AM1005
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel12A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel9000µohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleHSOP
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel20W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
12A
Drain Source On State Resistance N Channel
9000µohm
Transistor Case Style
HSOP
Power Dissipation N Channel
20W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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