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BST70B2P4K01-VC
MOSFET, FOUR N-CH, 1.2KV, 70A, HSDIP
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FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteBST70B2P4K01-VCCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark95AM9532
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 88.920 |
| 5+ | $ 86.530 |
| 10+ | $ 84.050 |
| 25+ | $ 82.790 |
| 50+ | $ 81.590 |
| 120+ | $ 76.690 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 88.92
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteBST70B2P4K01-VCCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark95AM9532
MOSFET Module ConfigurationFull Bridge
Channel TypeFour N Channel
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleHSDIP
No. of Pins20Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.8V
Power Dissipation385W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Full Bridge
Continuous Drain Current Id
70A
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
No. of Pins
20Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.8V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
Four N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HSDIP
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
385W
Product Range
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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