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AG091FLD3HRBTL
MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 80A, TO-252
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FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteAG091FLD3HRBTLCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rodo à Medida29AM6699RL
Segmento de fita29AM6699
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.580 | $ 2.58 |
| Total Preço | $ 2.58 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.580 |
| 10+ | $ 1.650 |
| 25+ | $ 1.470 |
| 50+ | $ 1.300 |
| 100+ | $ 1.120 |
| 250+ | $ 1.010 |
| 500+ | $ 0.899 |
| 1000+ | $ 0.827 |
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteAG091FLD3HRBTLCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rodo à Medida29AM6699RL
Segmento de fita29AM6699
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance7500µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation76W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
76W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
7500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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