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TP65H070G4LSGBEA-TR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 11.9 nC, PQFN, Surface Mount
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FabricanteRENESAS
Nº da peça do fabricanteTP65H070G4LSGBEA-TR
Código Newark26AM1878
Gama de produtosSuperGaN Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.220 |
| 10+ | $ 5.490 |
| 25+ | $ 5.030 |
| 50+ | $ 4.550 |
| 100+ | $ 3.960 |
| 250+ | $ 3.140 |
| 500+ | $ 2.980 |
| 1000+ | $ 2.800 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 6.22
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Informação do produto
FabricanteRENESAS
Nº da peça do fabricanteTP65H070G4LSGBEA-TR
Código Newark26AM1878
Gama de produtosSuperGaN Series
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.085ohm
Typical Gate Charge11.9nC
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.085ohm
Transistor Case Style
PQFN
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
29A
Typical Gate Charge
11.9nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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