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TP65H030G4PRS-TR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TOLT, Surface Mount
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FabricanteRENESAS
Nº da peça do fabricanteTP65H030G4PRS-TR
Código Newark26AM1875
Gama de produtosSuperGaN Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 7.970 |
| 10+ | $ 5.480 |
| 25+ | $ 5.150 |
| 50+ | $ 4.810 |
| 100+ | $ 4.480 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 7.97
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Informação do produto
FabricanteRENESAS
Nº da peça do fabricanteTP65H030G4PRS-TR
Código Newark26AM1875
Gama de produtosSuperGaN Series
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id55.7A
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Typical Gate Charge24.5nC
Transistor Case StyleTOLT
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins16Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
Transistor Case Style
TOLT
No. of Pins
16Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
55.7A
Typical Gate Charge
24.5nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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