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QID4515001
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 150 A, 3.5 V, 1.44 kW, 150 °C, Module
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 21 Semana(s)
Informação do produto
FabricantePOWEREX
Nº da peça do fabricanteQID4515001
Código Newark79R2564
Ficha técnica
Transistor PolarityDual NPN
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Continuous Collector Current150A
DC Collector Current150A
Collector Emitter Saturation Voltage3.5V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.5V
Power Dissipation Pd1.44kW
Power Dissipation1.44kW
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo4.5kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
No. of Pins8Pins
Collector Emitter Voltage Max4.5kV
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
Dual NPN
Continuous Collector Current
150A
Collector Emitter Saturation Voltage
3.5V
Power Dissipation Pd
1.44kW
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
4.5kV
IGBT Termination
Tab
Collector Emitter Voltage Max
4.5kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
150A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3.5V
Power Dissipation
1.44kW
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
8Pins
IGBT Technology
-
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Não
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto